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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N6629US
1N6629US
Modello di prodotti:
1N6629US
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
12433 Pieces
Scheda dati:
1N6629US.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.4V @ 1.4A
Tensione - inversa (Vr) (max):880V
Contenitore dispositivo fornitore:A-MELF
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):50ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SQ-MELF, A
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
codice articolo del costruttore:1N6629US
Descrizione espansione:Diode Standard 880V 1.4A Surface Mount A-MELF
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF
Corrente - Dispersione inversa a Vr:2µA @ 880V
Corrente - raddrizzata media (Io):1.4A
Capacità a Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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Parti relative per 1N6629US

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N6622US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF Inchiesta
1N6625US Image 1N6625US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF Inchiesta
1N6626 Image 1N6626 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6628 Image 1N6628 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6623US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF Inchiesta
1N6624 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK Inchiesta
1N6620US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF Inchiesta
1N6622 Image 1N6622 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL Inchiesta
1N6629 Image 1N6629 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Inchiesta
1N6620 Image 1N6620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL Inchiesta
1N6627US Image 1N6627US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6625 Image 1N6625 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Inchiesta
1N6624US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF Inchiesta
1N6621US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF Inchiesta
1N6625E3 Image 1N6625E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Inchiesta
1N6621 Image 1N6621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL Inchiesta
1N6623 Image 1N6623 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL Inchiesta
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1N6628US Image 1N6628US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF Inchiesta

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