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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N6624
1N6624
Modello di prodotti:
1N6624
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
19667 Pieces
Scheda dati:
1N6624.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:18V @ 500mA
Tensione - inversa (Vr) (max):990V
Contenitore dispositivo fornitore:A-PAK
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):60ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:A, Axial
Altri nomi:Q2110192
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
codice articolo del costruttore:1N6624
Descrizione espansione:Diode Standard 990V 1A Through Hole A-PAK
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK
Corrente - Dispersione inversa a Vr:500nA @ 900V
Corrente - raddrizzata media (Io):1A
Capacità a Vr, F:10pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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Parti relative per 1N6624

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N6626US Image 1N6626US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6627 Image 1N6627 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6627US Image 1N6627US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6622 Image 1N6622 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL Inchiesta
1N6628 Image 1N6628 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6628US Image 1N6628US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6623 Image 1N6623 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL Inchiesta
1N6625 Image 1N6625 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Inchiesta
1N6622US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF Inchiesta
1N6625US Image 1N6625US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF Inchiesta
1N6621US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF Inchiesta
1N6624US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF Inchiesta
1N6620 Image 1N6620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL Inchiesta
1N6621 Image 1N6621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL Inchiesta
1N6620US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF Inchiesta
1N6629US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF Inchiesta
1N6626 Image 1N6626 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6629 Image 1N6629 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Inchiesta
1N6625E3 Image 1N6625E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Inchiesta
1N6623US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF Inchiesta

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