ZXM66P02N8TC
ZXM66P02N8TC
Modello di prodotti:
ZXM66P02N8TC
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12646 Pieces
Scheda dati:
ZXM66P02N8TC.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:700mV @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.56W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:ZXM66P02N8TC
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2068pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:43.3nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.4A (Ta)
Email:[email protected]

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