UT6K3TCR
Modello di prodotti:
UT6K3TCR
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15511 Pieces
Scheda dati:
UT6K3TCR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:HUML2020L8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:42 mOhm @ 5A, 4.5V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-UDFN Exposed Pad
Altri nomi:UT6K3TCRTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:UT6K3TCR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 2W Surface Mount HUML2020L8
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A
Email:[email protected]

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