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TPN4R712MD,L1Q
- Modello di prodotti:
- TPN4R712MD,L1Q
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18407 Pieces
- Scheda dati:
- TPN4R712MD,L1Q.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 42W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | TPN4R712MDL1QDKR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TPN4R712MD,L1Q |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4300pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 65nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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