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TPN2R503NC,L1Q
- Modello di prodotti:
- TPN2R503NC,L1Q
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13855 Pieces
- Scheda dati:
- TPN2R503NC,L1Q.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 500µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie: | U-MOSVIII |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta), 35W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | TPN2R503NC,L1Q(M TPN2R503NCL1Q TPN2R503NCL1QTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TPN2R503NC,L1Q |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2230pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 40A (Ta) 700mW (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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