TPN13008NH,L1Q
TPN13008NH,L1Q
Modello di prodotti:
TPN13008NH,L1Q
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19488 Pieces
Scheda dati:
TPN13008NH,L1Q.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie:U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs:13.3 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):700mW (Ta), 42W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:TPN13008NH,L1Q(M
TPN13008NHL1QTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:TPN13008NH,L1Q
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 18A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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