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TPCF8101(TE85L,F,M
- Modello di prodotti:
- TPCF8101(TE85L,F,M
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15094 Pieces
- Scheda dati:
- 1.TPCF8101(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8101(TE85L,F,M.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 200µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | VS-8 (2.9x1.9) |
| Serie: | U-MOSIII |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 28 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | TPCF8101(TE85LFMDKR TPCF8101FDKR TPCF8101FDKR-ND TPCF8101TE85LFM |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | TPCF8101(TE85L,F,M |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 12V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 12V 6A VS-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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