TPCA8010-H(TE12LQM
Modello di prodotti:
TPCA8010-H(TE12LQM
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 5.5A SOP-8 ADV
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17004 Pieces
Scheda dati:
1.TPCA8010-H(TE12LQM.pdf2.TPCA8010-H(TE12LQM.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP Advance (5x5)
Serie:π-MOSV
Rds On (max) a Id, Vgs:450 mOhm @ 2.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 45W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:TPCA8010-H(TE12LQM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 5.5A SOP-8 ADV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A (Ta)
Email:[email protected]

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