TPC8126,LQ(CM
Modello di prodotti:
TPC8126,LQ(CM
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19279 Pieces
Scheda dati:
1.TPC8126,LQ(CM.pdf2.TPC8126,LQ(CM.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 500µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP (5.5x6.0)
Serie:U-MOSVI
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi:TPC8126LQ(CM
TPC8126LQCM
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:TPC8126,LQ(CM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 11A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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