Acquistare TN0620N3-G-P014 con BYCHPS
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			| Vgs (th) (max) a Id: | 1.6V @ 1mA | 
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 | 
| Serie: | - | 
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6 Ohm @ 500mA, 10V | 
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Tc) | 
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) | 
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo montaggio: | Through Hole | 
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks | 
| codice articolo del costruttore: | TN0620N3-G-P014 | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 25V | 
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - | 
| Tipo FET: | N-Channel | 
| Caratteristica FET: | - | 
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 250mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 | 
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V | 
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3 | 
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 250mA (Tj) | 
| Email: | [email protected] |