TK3R1A04PL,S4X
TK3R1A04PL,S4X
Modello di prodotti:
TK3R1A04PL,S4X
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
20138 Pieces
Scheda dati:
TK3R1A04PL,S4X.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 500µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220SIS
Serie:U-MOSIX-H
Rds On (max) a Id, Vgs:3.8 mOhm @ 30A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):36W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:TK3R1A04PL,S4X(S
TK3R1A04PLS4X
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:TK3R1A04PL,S4X
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4670pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:63.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 82A 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:82A
Email:[email protected]

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