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TC8020K6-G
- Modello di prodotti:
- TC8020K6-G
- fabbricante:
- Micrel / Microchip Technology
- Descrizione:
- MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17052 Pieces
- Scheda dati:
- TC8020K6-G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per TC8020K6-G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per TC8020K6-G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.4V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 56-QFN (8x8) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8 Ohm @ 1A, 10V |
| Potenza - Max: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 56-VFQFN Exposed Pad |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 17 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TC8020K6-G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 50pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 6 N and 6 P-Channel |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 6 N and 6 P-Channel 200V Surface Mount 56-QFN (8x8) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per TC8020K6-G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC80H29T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 | Inchiesta |
 |
SSM6P49NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A | Inchiesta |
 |
APTC80TA15PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P | Inchiesta |
 |
DMP2004VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 | Inchiesta |
 |
SI4814BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | Inchiesta |
 |
SQJ941EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8 | Inchiesta |
 |
AON4803 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A DFN3X2 | Inchiesta |
 |
BSL316CL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 | Inchiesta |
 |
TC8020K6-G-M937 | Microchip Technology | MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN | Inchiesta |
 |
TPC8223-H,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP | Inchiesta |
 |
FDMD8240L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 23A | Inchiesta |
|
SI4830CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | Inchiesta |
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