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TC58BYG2S0HBAI6
- Modello di prodotti:
- TC58BYG2S0HBAI6
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- IC EEPROM 4GBIT 25NS 67VFBGA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16030 Pieces
- Scheda dati:
- TC58BYG2S0HBAI6.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.95 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Velocità: | 25ns |
| Serie: | Benand™ |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 67-VFBGA |
| Altri nomi: | TC58BYG2S0HBAI6JDH TC58BYG2S0HBAI6YCL |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Formato di memoria: | EEPROM |
| codice articolo del costruttore: | TC58BYG2S0HBAI6 |
| Interfaccia: | Parallel |
| Descrizione: | IC EEPROM 4GBIT 25NS 67VFBGA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per TC58BYG2S0HBAI6
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