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TC58BVG2S0HBAI4
- Modello di prodotti:
- TC58BVG2S0HBAI4
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19486 Pieces
- Scheda dati:
- TC58BVG2S0HBAI4.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 63-TFBGA (9x11) |
| Velocità: | 25ns |
| Serie: | Benand™ |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 63-VFBGA |
| Altri nomi: | ASTC58BVG2S0HBAI4 TC58BVG2S0HBAI4JDH TC58BVG2S0HBAI4YCL TC58BVG2S0HBAIJDH |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Formato di memoria: | EEPROM |
| codice articolo del costruttore: | TC58BVG2S0HBAI4 |
| Interfaccia: | Parallel |
| Descrizione: | IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per TC58BVG2S0HBAI4
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