T2N7002AK,LM
Modello di prodotti:
T2N7002AK,LM
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 0.2A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18848 Pieces
Scheda dati:
T2N7002AK,LM.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23
Serie:U-MOSVII-H
Rds On (max) a Id, Vgs:3.9 Ohm @ 100mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):320mW (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:T2N7002AKLM(BDKR
T2N7002AKLM(BDKR-ND
T2N7002AKLMDKR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:T2N7002AK,LM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:17pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.35nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 200mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 0.2A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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