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STW11NB80
- Modello di prodotti:
- STW11NB80
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 12532 Pieces
- Scheda dati:
- STW11NB80.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-3 |
| Serie: | PowerMESH™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 800 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 190W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | 497-2789-5 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | STW11NB80 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2900pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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