STS1HNK60
STS1HNK60
Modello di prodotti:
STS1HNK60
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14466 Pieces
Scheda dati:
STS1HNK60.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.7V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:SuperMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs:8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):2W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:497-3530-2
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STS1HNK60
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:156pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:300mA (Tc)
Email:[email protected]

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