STQ2LN60K3-AP
STQ2LN60K3-AP
Modello di prodotti:
STQ2LN60K3-AP
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15541 Pieces
Scheda dati:
STQ2LN60K3-AP.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92-3
Serie:SuperMESH3™
Rds On (max) a Id, Vgs:4.5 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Tc)
imballaggio:Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Altri nomi:497-13391-3
STQ2LN60K3AP
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STQ2LN60K3-AP
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:235pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:600mA (Tc)
Email:[email protected]

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