STP70N10F4
STP70N10F4
Modello di prodotti:
STP70N10F4
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 65A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16344 Pieces
Scheda dati:
STP70N10F4.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:DeepGATE™, STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:19.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:497-8812-5
STP70N10F4-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:STP70N10F4
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 65A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 65A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

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