STN2NE10L
Modello di prodotti:
STN2NE10L
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13948 Pieces
Scheda dati:
STN2NE10L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223
Serie:STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:400 mOhm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STN2NE10L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:345pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 1.8A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.8A (Tc)
Email:[email protected]

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