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STL26NM60N
- Modello di prodotti:
- STL26NM60N
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18425 Pieces
- Scheda dati:
- STL26NM60N.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Serie: | MDmesh™ II |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 185 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125mW (Ta), 3W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-PowerFlat™ HV |
| Altri nomi: | 497-11207-2 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | STL26NM60N |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 2.7A (Ta), 19A (Tc) 125mW (Ta), 3W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.7A (Ta), 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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