STI400N4F6
STI400N4F6
Modello di prodotti:
STI400N4F6
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18292 Pieces
Scheda dati:
STI400N4F6.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I2PAK (TO-262)
Serie:DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (max) a Id, Vgs:1.7 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:497-14566-5
STI400N4F6-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STI400N4F6
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:20000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:377nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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