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STH80N10F7-2
- Modello di prodotti:
- STH80N10F7-2
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14913 Pieces
- Scheda dati:
- STH80N10F7-2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | H²PAK |
| Serie: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 40A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 110W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
| Altri nomi: | 497-14980-2 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | STH80N10F7-2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3100pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H²PAK |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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