STB26NM60N
STB26NM60N
Modello di prodotti:
STB26NM60N
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16421 Pieces
Scheda dati:
STB26NM60N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs:165 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):140W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:497-10985-6
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STB26NM60N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 20A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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