STB21NM60N-1
STB21NM60N-1
Modello di prodotti:
STB21NM60N-1
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19611 Pieces
Scheda dati:
STB21NM60N-1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I2PAK
Serie:MDmesh™
Rds On (max) a Id, Vgs:220 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):140W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:497-5728
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STB21NM60N-1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 17A (Tc) 140W (Tc) Through Hole I2PAK
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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