SSR1N60BTM
SSR1N60BTM
Modello di prodotti:
SSR1N60BTM
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16720 Pieces
Scheda dati:
SSR1N60BTM.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:12 Ohm @ 450mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 28W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SSR1N60BTM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:215pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:900mA (Tc)
Email:[email protected]

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