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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > SSM6N15AFU,LF
SSM6N15AFU,LF
SSM6N15AFU,LF
Modello di prodotti:
SSM6N15AFU,LF
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13076 Pieces
Scheda dati:
SSM6N15AFU,LF.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore:US6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.6 Ohm @ 10mA, 4V
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:SSM6N15AFULFDKR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:SSM6N15AFU,LF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13.5pF @ 3V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 300mW Surface Mount US6
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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