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SSM6L09FUTE85LF
- Modello di prodotti:
- SSM6L09FUTE85LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17494 Pieces
- Scheda dati:
- SSM6L09FUTE85LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.8V @ 100µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | US6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 700 mOhm @ 200MA, 10V |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | SSM6L09FU (TE85L,F) SSM6L09FU(TE85L,F) SSM6L09FUTE85LFTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SSM6L09FUTE85LF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 20pF @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 400mA, 200mA 300mW Surface Mount US6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 400mA, 200mA |
| Email: | [email protected] |
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