SSM3K36MFV,L3F
SSM3K36MFV,L3F
Modello di prodotti:
SSM3K36MFV,L3F
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15598 Pieces
Scheda dati:
1.SSM3K36MFV,L3F.pdf2.SSM3K36MFV,L3F.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:VESM
Serie:U-MOSIII
Rds On (max) a Id, Vgs:630 mOhm @ 200mA, 5V
Dissipazione di potenza (max):150mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-723
Altri nomi:SSM3K36MFV (TL3,T)
SSM3K36MFV(TL3,T)
SSM3K36MFV(TL3T)TR
SSM3K36MFV(TL3T)TR-ND
SSM3K36MFV(TPL3)
SSM3K36MFV(TPL3)TR
SSM3K36MFV(TPL3)TR-ND
SSM3K36MFV,L3F(B
SSM3K36MFV,L3F(T
SSM3K36MFVL3FTR
SSM3K36MFVTL3T
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:SSM3K36MFV,L3F
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:46pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.23nC @ 4V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:500mA (Ta)
Email:[email protected]

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