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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SSM3K15AMFV,L3F
SSM3K15AMFV,L3F
SSM3K15AMFV,L3F
Modello di prodotti:
SSM3K15AMFV,L3F
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16145 Pieces
Scheda dati:
SSM3K15AMFV,L3F.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:VESM
Serie:U-MOSIII
Rds On (max) a Id, Vgs:3.6 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipazione di potenza (max):150mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-723
Altri nomi:SSM3K15AMFV,L3F(A
SSM3K15AMFV,L3F(B
SSM3K15AMFV,L3F(D
SSM3K15AMFV,L3F(T
SSM3K15AMFVL3F
SSM3K15AMFVL3FTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:SSM3K15AMFV,L3F
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13.5pF @ 3V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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