SQM120P04-04L_GE3
SQM120P04-04L_GE3
Modello di prodotti:
SQM120P04-04L_GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18633 Pieces
Scheda dati:
SQM120P04-04L_GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (D2Pak)
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SQM120P04-04L-GE3
SQM120P04-04L-GE3-ND
SQM120P04-04L_GE3-ND
SQM120P04-04L_GE3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:SQM120P04-04L_GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13980pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:330nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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