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SQJQ100E-T1_GE3
- Modello di prodotti:
- SQJQ100E-T1_GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14341 Pieces
- Scheda dati:
- SQJQ100E-T1_GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® 8 x 8 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 150W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | SQJQ100E-T1_GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SQJQ100E-T1_GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 14780pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 40V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SQJQ100E-T1_GE3
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