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SQJ500AEP-T1_GE3
- Modello di prodotti:
- SQJ500AEP-T1_GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19913 Pieces
- Scheda dati:
- SQJ500AEP-T1_GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 27 mOhm @ 6A, 10V |
| Potenza - Max: | 48W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi: | SQJ500AEP-T1_GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SQJ500AEP-T1_GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1850pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 38.1nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 40V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione: | MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SQJ500AEP-T1_GE3
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
QS6J3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | Inchiesta |
 |
SI5904DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | Inchiesta |
 |
DMP4047SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC | Inchiesta |
|
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | Inchiesta |
 |
IRF7910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC | Inchiesta |
 |
RJM0603JSC-00#12 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | Inchiesta |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | Inchiesta |
 |
DMG1026UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 | Inchiesta |
 |
NTLGD3502NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN | Inchiesta |
|
FDS3601 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC | Inchiesta |
 |
APTM100H35FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | Inchiesta |
|
APTM100H80FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | Inchiesta |
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