Acquistare SPP20N60C3XKSA1 con BYCHPS
Acquista con garanzia
SPP20N60C3XKSA1
- Modello di prodotti:
- SPP20N60C3XKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13264 Pieces
- Scheda dati:
- SPP20N60C3XKSA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SPP20N60C3XKSA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPP20N60C3XKSA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220-3-1 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 208W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | SP000681058 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SPP20N60C3XKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 114nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SPP20N60C3XKSA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SPP20N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY | Inchiesta |
 |
SPP20N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 | Inchiesta |
|
SPP20N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB | Inchiesta |
|
SPP20N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 | Inchiesta |
|
SPP20N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220AB | Inchiesta |
|
SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3 | Inchiesta |
|
SPP20N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 | Inchiesta |
|
SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog