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SPP07N60C3HKSA1
- Modello di prodotti:
- SPP07N60C3HKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12510 Pieces
- Scheda dati:
- SPP07N60C3HKSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 350µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO-220-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 83W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | SP000013525 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPP07N60C3HKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SPP07N60C3HKSA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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SPP07N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Inchiesta |
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SPP07N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Inchiesta |
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SPP07N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Inchiesta |
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SPP07N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220 | Inchiesta |
|
SPP07N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB | Inchiesta |
|
SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB | Inchiesta |
|
SPP07N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 | Inchiesta |
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