SPI21N10
SPI21N10
Modello di prodotti:
SPI21N10
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18065 Pieces
Scheda dati:
SPI21N10.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 44µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO262-3-1
Serie:SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:80 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max):90W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:SP000013843
SPI21N10-ND
SPI21N10IN
SPI21N10X
SPI21N10XK
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SPI21N10
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:865pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:38.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 21A (Tc) 90W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

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