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SPI11N60CFDHKSA1
- Modello di prodotti:
- SPI11N60CFDHKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12842 Pieces
- Scheda dati:
- SPI11N60CFDHKSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 500µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO262-3-1 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 440 mOhm @ 7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | SP000229994 SP000680990 SPI11N60CFD SPI11N60CFD-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPI11N60CFDHKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SPI11N60CFDHKSA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SPI11N60S5BKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | Inchiesta |
 |
RJK0328DPB-01#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | Inchiesta |
|
SPI11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | Inchiesta |
 |
STF7N90K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 800 V, 0.5 OHM TYP., 7 | Inchiesta |
|
SPI11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | Inchiesta |
|
SPI11N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | Inchiesta |
 |
IRF1405ZTRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB | Inchiesta |
 |
NTD5862NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 98A DPAK | Inchiesta |
|
RJK0451DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK | Inchiesta |
|
SPI11N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | Inchiesta |
 |
VS-FC220SA20 | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | Inchiesta |
 |
BSS87E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 | Inchiesta |
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