SPD02N80C3ATMA1
SPD02N80C3ATMA1
Modello di prodotti:
SPD02N80C3ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13302 Pieces
Scheda dati:
SPD02N80C3ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 120µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.7 Ohm @ 1.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):42W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:SP001117754
SPD02N80C3ATMA1TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:SPD02N80C3ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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