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SPB80N06S2L-09
- Modello di prodotti:
- SPB80N06S2L-09
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 14299 Pieces
- Scheda dati:
- SPB80N06S2L-09.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 125µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8.5 mOhm @ 52A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 190W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP000013582 SPB80N06S2L09T |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPB80N06S2L-09 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3480pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 55V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SPB80N06S2L-09
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SPB80N06S2L-H5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Inchiesta |
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SPB80N06S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Inchiesta |
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SPB80N06S2-H5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Inchiesta |
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SPB80N06S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Inchiesta |
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SPB80N06S2-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Inchiesta |
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