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SPB18P06P
- Modello di prodotti:
- SPB18P06P
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 16551 Pieces
- Scheda dati:
- SPB18P06P.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SPB18P06P, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPB18P06P via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 81.1W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP000012329 SPB18P06PT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPB18P06P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 860pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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