SPB10N10L G
SPB10N10L G
Modello di prodotti:
SPB10N10L G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18688 Pieces
Scheda dati:
SPB10N10L G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 21µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:154 mOhm @ 8.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SP000102169
SPB10N10L G-ND
SPB10N10LGINTR
SPB10N10LGXT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SPB10N10L G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:444pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10.3A (Tc)
Email:[email protected]

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