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SP8K31TB1
- Modello di prodotti:
- SP8K31TB1
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15996 Pieces
- Scheda dati:
- SP8K31TB1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 120 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SP8K31TB1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.2nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SP8K31TB1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7316TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
SI3850ADV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP | Inchiesta |
 |
SP8K3FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC | Inchiesta |
 |
CSD83325L | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR | Inchiesta |
 |
SP8K3TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
SLA5061 | Sanken | MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP | Inchiesta |
|
IRF9953PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC | Inchiesta |
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