SJD112T4G
Modello di prodotti:
SJD112T4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12500 Pieces
Scheda dati:
SJD112T4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):-
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:-
Tipo transistor:-
Contenitore dispositivo fornitore:-
Serie:-
Potenza - Max:-
imballaggio:-
Contenitore / involucro:-
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:-
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:9 Weeks
codice articolo del costruttore:SJD112T4G
Frequenza - transizione:-
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor
Descrizione:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:-
Corrente - Cutoff collettore (max):-
Corrente - collettore (Ic) (max):-
Email:[email protected]

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