SIZ340DT-T1-GE3
SIZ340DT-T1-GE3
Modello di prodotti:
SIZ340DT-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15358 Pieces
Scheda dati:
SIZ340DT-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-Power33 (3x3)
Serie:PowerPAIR®, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:9.5 mOhm @ 15.6A, 10V
Potenza - Max:16.7W, 31W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:SIZ340DT-T1-GE3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
codice articolo del costruttore:SIZ340DT-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 30A, 40A 16.7W, 31W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A, 40A
Email:[email protected]

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