SISS98DN-T1-GE3
Modello di prodotti:
SISS98DN-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12414 Pieces
Scheda dati:
SISS98DN-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® 1212-8
Serie:ThunderFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:105 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):57W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:PowerPAK® 1212-8
Altri nomi:SISS98DN-T1-GE3DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:19 Weeks
codice articolo del costruttore:SISS98DN-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:608pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 7.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 14.1A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):7.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:14.1A (Tc)
Email:[email protected]

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