SISB46DN-T1-GE3
SISB46DN-T1-GE3
Modello di prodotti:
SISB46DN-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 1212-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16106 Pieces
Scheda dati:
SISB46DN-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:11.71 mOhm @ 5A, 10V
Potenza - Max:23W
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:PowerPAK® 1212-8 Dual
Altri nomi:SISB46DN-T1-GE3DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:19 Weeks
codice articolo del costruttore:SISB46DN-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:34A (Tc)
Email:[email protected]

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