Acquistare SIS902DN-T1-GE3 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 186 mOhm @ 3A, 10V |
| Potenza - Max: | 15.4W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Altri nomi: | SIS902DN-T1-GE3TR SIS902DNT1GE3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SIS902DN-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 175pF @ 38V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 4A 15.4W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Tensione drain-source (Vdss): | 75V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |