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SIRA20DP-T1-RE3
- Modello di prodotti:
- SIRA20DP-T1-RE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17099 Pieces
- Scheda dati:
- SIRA20DP-T1-RE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +16V, -12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 0.58 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi: | SIRA20DP-RE3 SIRA20DP-T1-RE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 19 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SIRA20DP-T1-RE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10850pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 25V 81.7A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione: | MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 81.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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