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SIHP12N50C-E3
- Modello di prodotti:
- SIHP12N50C-E3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18881 Pieces
- Scheda dati:
- SIHP12N50C-E3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 555 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 208W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | SIHP12N50C-E3CT SIHP12N50C-E3CT-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SIHP12N50C-E3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1375pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 12A (Tc) 208W (Tc) Through Hole |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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